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　　国家知识产权局信息显示，长春理工大学、山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法”的专利，公开号CN121035759A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法，涉及半导体激光器工艺技术领域，解决了现有技术中刻蚀含In化合物半导体激光器材料时挥发性InCl。

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