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　　国家知识产权局信息显示，西安天光半导体有限公司申请一项名为“一种双极型功率放大器及其制备方法”的专利，公开号CN 121012448 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明涉及功率放大器，具体涉及一种双极型功率放大器及其制备方法；包括P型衬底，P型衬底的上表面设有多个N+型埋层；P型衬底的上表面设有多个第一P+扩区，以及位于P型衬底表面和N+型埋层上表面上的N-型外延层；N-型外延层的上表面设有第二P+扩区和第一N+扩区；第二P+扩区的上表面上设有第二N+扩区；第一P+扩区、第二P+扩区、N-型外延层、第一N+扩区和第二N+扩区的上表面设有二氧化硅层；二氧化硅层的表面设有多个接线端子，多个接线端子的下端面贯穿二氧化硅层，并分别与第二P+扩区、第二N+扩区、第一N+扩区相连。本发明能够使功率放大器的高频效率从65％提升至80％，输出功率增加30％。

　　天眼查资料显示，西安天光半导体有限公司，成立于2015年，位于西安市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安天光半导体有限公司参与招投标项目17次，财产线条，此外企业还拥有行政许可8个。

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